Vishay发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新的30V N沟道<span class="highlight">Trench</span>FET® 第四代功率MOS...
Vishay推出新款40V TrenchFET®功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封装40V <span class="highlight"...
Vishay推出新款40V TrenchFET功率MOSFET
Vishay发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK 8x8L封装40V <span class="highlight">Trench</span>FET功率MOSFET-SQJQ402E，目的是为汽...
Vishay推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET---Si8410DB
Vishay推出新的<span class="highlight">Trench</span>FET 20V N沟道MOSFET---Si8410DB，在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动...
Vishay 推出新Trench IGBT平台
Vishay发布采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技术的新<span class="highlight">Trench</span> IGBT(绝缘栅双极型晶体管)平台。Vishay Se...
Vishay新增P沟道TrenchFET功率MOSFET SiA453EDJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道<span class="highlight">Tre...
Vishay再度推出新款TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道<span class="highlight">Trench</span...
Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道<span class="hig...
飞兆全新PowerTrench MOSFET优化电能应用
许多终端应用,比如IP电话、电机控制电路、有源钳位开关和负载开关,需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便满足制造商的要求。飞兆半导体开发了FDMC86x...
Vishay发布高性能非对称双片TrenchFET MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布采用 PowerPAIR? 3mm x 3mm封装，使用<span class="highlight">Trench</...
Vishay超小尺寸TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET极低导通电阻
Vishay今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动...
Vishay发布45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有高电流密度的新款45V TMBS® <span class="highlight">Trench</s...
Vishay发布新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器
2012-12-06
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