HyperRAM™是业内首款基于12引脚HyperBus™接口的自刷新DRAM，可用于各类高性能应用的外置便笺式存储器

不同的环境照明设计中对灯具和光源的选用也不同，例如办公室、工业厂房对工作区域照明要符合照度要求，博物馆、画廊需要对展示物进行重点照明，还有些...

2016年3月1日–富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布，成功开发具有4 Mbit记忆容量的、带有高速QSPI接口的全新FRAM(铁电随机存取内存)产品MB85RQ...

大陆紫光集团已确定在大陆华南地区筹建12寸DRAM厂，并循当年台塑集团与美光合资华亚科的商业模式，由紫光出资建厂，再邀请美光等国际大厂入股，解决技...

从2013年以来持续成长的DRAM市场，2016年展望值首度出现衰退。为突破半导体市场的不景气，三星电子(Samsung Electronics)致力升级微细制程技术;SK...

赛普拉斯半导体公司推出一系列4Mb串行铁电随机存取存储器(F-RAM)，这是业界容量最大的串行F-RAM。该款4Mb串行F-RAM拥有40-Mhz串行外设接口(SPI...

全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司与先进存储解决方案领导厂商Integrated Silicon Solution公司日前共同宣布，双方将联手...

2012年11月27日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布其低功耗铁电随机存取存储器FRAM又添小封装成员-SON-8封装的MB85RC16。

近日，新西兰南方光子Southern Photonics同德国Micram公司推出了促进下一代通信系统发展的34GS/S 任意波形发生器(Arbitrary Waveform Generator...

2011年使用在智慧型手机的dram需求急增，比2010年增加164.4%，反观2011年整体dram市场增加率不过50%，智慧型手机dram的消费需求增加率，是一般dram...

韩国保持在DRAM市场的优势地位，第二季度韩国三星电子收复在DRAM市场中的失地，市场份额达到业内迄今的最高水平。

瑞晶公司日前提出新的议案。将30纳米制程转换资本支出提至18.15亿元。这一议案将刺激瑞晶公司成为30纳米制程最快的台系DRAM厂。