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罗姆第4代SiC MOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势

引言近年来,为了实现碳中和等减轻环境负荷的目标,需要进一步普及下一代电动汽车(xEV),从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其...
2022-03-09

elmos在2019传感器+测试展会展示多款卓越的半导体解决方案

E520.47芯片,这是一款带有SENT接口的传感器信号处理IC,支持两路电阻式电桥的同步信号处理。该IC专为汽车应用的需求而开发。E520.47符合标准ISO2626...
2019-07-05

elmos在2019传感器 测试展会展示多款卓越的半导体解决方案

E520.47芯片,这是一款带有SENT接口的传感器信号处理IC,支持两路电阻式电桥的同步信号处理。该IC专为汽车应用的需求而开发。E520.47符合标准ISO2626...
2019-07-03

意法半导体推出高效超结MOSFET,瞄准节能型功率转换拓扑

2018年12月14日,意法半导体推出MDmesh系列600V超结晶体管,该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。

索尼下注3D传感器 或再现CMOS图像传感器领域传奇

据麦姆斯咨询报道,索尼的新一代ToF传感器是专为智能手机和增强现实(AR)设备设计的,并计划于明年量产。新传感器最终还会进入与环境交互的无人机、...
2017-11-20

安森美推出一款新的1/4英寸1.0MpCMOS数码图像传感器

AR0144让设计师无须为找切合他们设计的方案而对分辨率作出妥协。在条码扫描器等静态应用中,AR0144易于设计进手持式产品中,确保初次扫描省电、省时和...

安森美推出两款新的高集成度100万像素(Mp) CMOS图像传感产品

用于客运车辆的摄像机数量及其他图像传感技术持续快速增长。行业分析师预测,截至2020年,汽车行业的摄像机年出货量将轻易超过8000万件。传感器是推动...

凌力尔特推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 <span class=...

Allegro MicroSystems, LLC推出两款全新N沟道功率MOSFET驱动器IC

Allegro MicroSystems,LLC宣布推出两款全新N沟道功率<span class="highlight">MOS</span>FET驱动器IC,能够控制以半桥配置连接的<span class="h...

ADI推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 <span class=...

东芝推出实现业界领先低噪音水平的新运算放大器

东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出实现业界领先低噪音水平的新运算放大器“TC75S67TU”。样品发货即日启动,量产...

英飞凌展出1200V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑

效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低:这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)...

ELMOS推出基于E523.81的新一代三相直流无刷电机控制器芯片

德国EL<span class="highlight">MOS</span>公司日前宣布推出基于E523.81的新一代三相直流无刷(BLDC)电机控制器芯片。该芯片集成了必要的...

ELMOS推多款传感器解决方案 适用于许多汽车和工业应用

日前,在刚刚结束的德国纽伦堡2017传感器+测试展会上,EL<span class="highlight">MOS</span>公司展示了多款传感器解决方案,包括传感器信...

意法半导体推出采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热封装的MOSFET晶体管

意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的<span class="highlight">MOS</span>FET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单...

意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管

意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率<span class="highlight">MOS</span>FET管,内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管,...

Diodes推出三款闸极驱动器 简化半桥组态下两部N沟道MOSFET或两部IGBT的切换

Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304闸极驱动器,皆为浮点高侧驱动器,简化了半桥组态下两部 N 沟道 <span class="highlight">MOS</...

派更推出UltraCMOS® PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关

RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司推出UltraC<span class="highlight">MOS</span>® PE42562...

Diodes推出专门设计用于驱动半桥组态下的两部外接N沟道MOSFET的新产品

Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高频闸极驱动 ICs,专门设计用于驱动半桥组态下的两部外接 N 沟道 <span class="highlight">MOS</sp...

Vishay发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率<span class="highlight">MOS</span>...

Diodes推出ZXGD3112N7有源OR'ing MOSFET控制器

Diodes公司推出的ZXGD3112N7有源OR'ing <span class="highlight">MOS</span>FET控制器,扩展了对具有高达±400V的轨电压的冗余电源系统的...

ADI推出Drive360TM 28nm CMOS RADAR技术平台

Analog Devices, Inc. (ADI),近日宣布推出Drive360TM 28nm C<span class="highlight">MOS</span> RADAR技术平台,此平台的构建基于公...

英飞凌针对准谐振反激式拓扑推出700 V CoolMOS P7产品系列

英飞凌科技股份公司针对现在和未来的准谐振反激式拓扑趋势,开发出全新的700V Cool<span class="highlight">MOS</span> P7产品系列。较之...

elmos推出汽车级新一代非接触式接近检测和手势识别器件

德国elmos公司日前宣布推出用于汽车中的下一代光学非接触式接近检测和手势识别设备的集成电路E909.21。与之前解决方案相比,新器件节省了高达40%的...

ELMOS推出72V 3相半桥驱动器IC 用于直流无刷电机的驱动

日前,在慕尼黑(德国)电子展览会上,elmos提供了汽车应用的电机驱动芯片,可以使用24V和48V车载电源和24V至60V供电电源,适用于工业应用环境电机驱...

艾迈斯半导体推出高性能模拟低噪声CMOS制程工艺(“A30”)

全球领先的高性能传感器和模拟IC供应商艾迈斯半导体近日宣布推出高性能模拟低噪声C<span class="highlight">MOS</span>制程工艺(“A30”)。这...

ELMOS推出带有SENT数字接口的多功能信号调理芯片E520.44

德国elmos公司日前宣布推出E520.44器件,一款传感器信号处理器(SSP),可灵活运用于模拟电压输出并带有数字SENT接口,可灵活的应用于汽车电子领域,...
2016-11-23

意法半导体最新的16V CMOS模拟比较器提升能效、速度和可靠性

意法半导体采用最新的制造工艺对其16V C<span class="highlight">MOS</span> 两路和四路模拟比较器进行升级改进,新产品降低了功耗,每路比...

意法半导体推出采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管,其中包括采用...

英飞凌推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术

英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅(SiC)<span class="highlight">MOS</span>FET技术,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有...