Vishay发布业内导通电阻最低的超小尺寸20V芯片级MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用高度0.357mm的芯片级MICRO FOOT 0.8mm x 0.8mm封装的TrenchFET <span class="highlight">...
Vishay推出新款20V芯片级MOSFET
Vishay推出新的TrenchFET <span class="highlight">20V</span> N沟道MOSFET---Si8410DB，在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动...
Vishay推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET---Si8410DB
Vishay推出新的TrenchFET <span class="highlight">20V</span> N沟道MOSFET---Si8410DB，在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动...
Vishay推出新款 20V MOSFET 提高便携式电子产品功率密度和可靠性
Vishay推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70封装的新款<span class="highlight">20V</span> N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA466EDJ。Vishay ...
凌力尔特推出5A、20VIN降压型微型模块(µModule)稳压器LTM4625
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出5A、<span class="highlight">20V</span>IN降压型微型模块(µModule)稳压器LTM4625，该器件...
IR StrongIRFET系列新增20V至30V器件
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充StrongIRFET系列，为高性能运算和通信等应用提供<span ...
Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET
Vishay推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT封装尺寸的-<span class="highlight">20V</span>器件---Si8851EDB，扩展其Tre...
凌力尔特推出20VIN、1A高功率密度LDO
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LT1965 的 H 级、更宽温度范围新版本，该器件是一款高功率密度 1A LDO。该 IC 在满负...
Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET
2012 年 11 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5...
20V、2.5A (IOUT) 同步降压型稳压器
2012-07-20
热门文章
热点排行
