凌力尔特推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N <span class="hi...
Allegro MicroSystems, LLC推出两款全新N沟道功率MOSFET驱动器IC
Allegro MicroSystems，LLC宣布推出两款全新N<span class="highlight">沟道</span>功率MOSFET驱动器IC，能够控制以半桥配置连接的MOSFET。Allegr...
2017-08-03
ADI推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N <span class="hi...
Diodes推出三款闸极驱动器 简化半桥组态下两部N沟道MOSFET或两部IGBT的切换
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N <span class="highlight">沟道</span...
Diodes推出专门设计用于驱动半桥组态下的两部外接N沟道MOSFET的新产品
Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高频闸极驱动 ICs，专门设计用于驱动半桥组态下的两部外接 N <span class="highlight">沟道</span> ...
Vishay发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新的30V N<span class="highlight">沟道</span>TrenchFET® 第四代功率MOS...
Vishay推出新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET
Vishay发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N<span class="highlight">沟道</span>功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay ...
Vishay新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET进一步提高可靠性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N<span class="highlight">沟道</span>功...
Vishay推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET---Si8410DB
Vishay推出新的TrenchFET 20V N<span class="highlight">沟道</span>MOSFET---Si8410DB，在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动...
TI推出NexFET N沟道功率MOSFET 可实现业界最低电阻
德州仪器 (TI) 推出其NexFET 产品线11款新型N<span class="highlight">沟道</span>功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的2...
德州仪器推出11款新型NexFET N沟道功率MOSFET
德州仪器 (TI) 推出其NexFET 产品线11款新型N<span class="highlight">沟道</span>功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的2...
东芝推出汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动器
东芝公司旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N<span class="highlight">沟道</span>功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET...
IR全新超高速沟道IGBT系列为焊接应用作出优化
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出高性能600V超高速<span class="highlight">沟道<...
IR新增多款600V节能沟道IGBT
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，...
Vishay发布业内首款采用热增强PowerPAK® SC-70封装的150V N沟道MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70® 封装的150V N<span class="highlig...
Vishay新增P沟道TrenchFET功率MOSFET SiA453EDJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70封装的新款-30V、12V VGS P<span class="highlight">沟道</s...
Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P<span class="highlight">沟道</span>MOSFET...
Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET
Vishay推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET P<span class="highlight"...
Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
Vishay推出采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET P<span class="highlight">沟道</span>Gen III功率MOSF...
Vishay超小尺寸TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET极低导通电阻
Vishay今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动...
Vishay发布新款斜率控制的P沟道高边负载开关
5 月3 日 ，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出可在1.5V～5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P<span class="high...
Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET
2012 年 11 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5...
NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品(图)
2008-01-20
面向网络通信开关式转换器，IR推出N沟道MOSFET
2006-06-14
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