EPC2111氮化镓半桥功率<span class="highlight">晶体管</span>帮助系统设计师实现具更高效率的负载点系统应用，在14 A、12 V转至1.8 V、5 ...

安谱隆半导体(Ampleon)今天宣布推出一款多功能20W单级射频功率放大器驱动器<span class="highlight">晶体管</span>。BLP9G0722-20G是一款高性价...

意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET<span class="highlight">晶体管</span>，新产品可提高汽车系统电控单...

近日 , Diodes公司(Diodes Incorporated)推出的AP3984是一款用于线式(line-powered)充电器和适配器的高性能开关稳压器(power switcher)，...

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率<span class="highli...

英伟达昨天宣布推出新的GPU芯片Tesla P100，据英伟达CEO黄仁勋(Jen-Hsun Huang)透露，芯片内置了150亿个<span class="highlight">晶体管</s...

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出采用新的长引线TO-247封装的50A、1200V相控晶闸管---VS-50TPS12L-M3。Vishay Semiconductors VS-50...

由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室-HRL实验室已经宣布其实现互补金属氧化物半导体(CMOS)FET技术的首次展示。

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出新的稳压器ZXTR2105F，该产品把<span class="highlight">晶体管</span>、齐纳二极管及电阻器单...

安森美半导体 (ON Semiconductor)和功率转换器专家Transphorm先前宣布双方建立了合作关系，把基于氮化镓(GaN)的电源方案推出市场，今天宣布推出联...

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。新推出的三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N...

赛灵思公司(Xilinx)和恩智浦半导体公司(NXP)宣布，他们将携手降低无线基础架构无线电的资本支出(CapEx)和运营支出成本(OpEx)。两家公司一直保...

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为针对网络、电信和以太网供电 (Power over Ethernet，简称PoE) 设备内48V电路，推出有效节省空间的高压线...

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极<span class="h...

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST) 在最近召开的巴黎核能与太空辐射效应大会(NSREC, Nuclear ...

宜普电源转换公司宣布推出采用创新、高性能零电压开关(ZVS) D类放大器拓扑、支持无线电源转换应用的演示板：EPC9506及EPC9507演示板。该板为放大器...

RF功率行业的领导者飞思卡尔推出了第二代Airfast RF功率解决方案，为高级无线架构设备(包括GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和 TD-LTE应用)提供了...

英飞凌科技股份公司日前宣布推出700瓦L波段射频功率<span class="highlight">晶体管</span>。该<span class="highlight">晶体管</spa...

日本知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种要求小型和薄型的电子设备，开发出世界最小尺寸的<span class="h...

意法半导体推出两款新的防潮射频(RF，radio-frequency)功率<span class="highlight">晶体管</span>，以提高目标应用在高 潮湿环境内的耐...

意法半导体的SD2931-12MR 和 300W SD4933MR提供了高成本效益的功率射频解决方案，可用于50V工业设备的射频功率发生器，应用包括感应加热、CO2 激...

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装的<span class="highligh...

Amantys宣布推出一款针对高功率模块的全新绝缘栅双极<span class="highlight">晶体管</span>(IGBT)栅极驱动器，其工作电压为4500V，额定电流从40...

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出ZXTR2000系列高压稳压器，把<span class="highlight">晶体管</span>、Zener二极管及电阻器集成到一个...

恩智浦半导体(NXP)推出全新Gen8+ LDMOS RF功率<span class="highlight">晶体管</span>，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品...

客制化IC领导厂商(Flexible ASIC LeaderTM), 创意电子(Global Unichip Corp.，GUC), 日前发表全新的模拟数字转换器系列包含DAC (digital-to-ana...

12月18 日， TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率<span class="highlight">晶体管</...

吉时利仪器公司为大功率器件的参数曲线分析应用推出了7种解决方案，适用于高达3,000V和100A的大功率器件特性分析。

　宜普电源转换公司宣布推出氮化镓场效应<span class="highlight">晶体管</span>EPC2012。EPC2012 FET是一款面积为1.6平方毫米的200VDS器件...