新型IQ混频器既可配置为镜像抑制混频器，也可配置为单边带上变频器
业界领先的射频、微波及毫米波产品供应商美国Pasternack公司发布了六款射频(RF)和本振(LO)工作频段为4GHz~38GHz且同步和正交中频(IF)带宽为DC~4.5GHz的新IQ混频器。这些混频器的典型用途包括点对点及点对多点无线电，甚小孔径终端(VSAT)，军用雷达，电子战(EW)，卫星通信，传感器以及测试测量设备。
上述新型IQ混频器模块由基于单片微波集成电路(MMIC)的组合体构成，此类组合体采用了由一对相互匹配的双平衡混频器单元、90度电桥以及0度分配器/合成器组成的高可靠性砷化镓(GaAs)金属半导体场效应管(MESFET)半导体工艺。与分立的模块组合体相比，上述水平下的集成可提供尺寸和性能方面的优点。通过添加所述外部90度中频电桥模块，此类IQ混频器既可配置为镜像抑制混频器，也可配置为单边带上变频混频器。镜像抑制和边带抑制消除了对预选滤波的需求，从而可降低系统整体的成本和复杂度。
当用作镜像抑制混频器(IRM)时，上述IQ混频器包括如下性能特征：7.5~10dBm的低变频损耗;高达35dB的典型镜像抑制度;高达42dB的典型本振至射频隔离度;典型输入1dB压缩点高达+20dB且典型输入IP3高达+35dB的优异线性度;+15~+19dBm本振的驱动功率。
上述产品均采用全密封插入式可伐合金(Kovar™)金属封装，此类封装镀有金包镍层且支持可现场更换SMA连接器。此外，所有上述产品均为符合RoHS标准的EAR99类型产品，而且保证满足MIL-STD-883标准的精疏泄漏及温度循环环境测试条件。
“我们丰富的IQ混频器新产品线为设计人员提供了六种在包括镜像抑制和单边带上变频在内的各种用途中具有极大使用价值的新产品。通常情况下，此类产品需要极长的交货期。与此相对，Pasternack的所有上述六种产品均有现货并可当天发货。”Pasternack的有源器件产品经理Tim Galla先生解释道。
