650V全氮化镓(AllGaN)功率IC的生产认证促进电力电子技术的高速革命
Navitas半导体宣布, 利用该公司专有的AllGaN™技术设计制造的符合量产要求的iDrive™氮化镓(GaN)功率IC现在正式投产。
氮化镓(GaN)器件可以实现比硅快100倍的开关速度。但驱动，控制和保护这样的高速器件已成为行业的挑战从而使其应用受到限制。通过将这些关键的数字和模拟电路与GaN功率器件单片集成，这些系统问题已被解除。具有iDrive驱动技术的Navitas 氮化镓(GaN)功率IC保证了在各种应用情况下开关性能得到优化。一个工作频率提高10-100倍，效率同时提升的电源系统可以将功率密度提高5倍和将系统成本降低20%。
Navitas首席执行官Gene Sheridan解释说：“将逻辑，模拟和功率的单片集成的GaN功率IC，是行业的一大突破，这将改变电力电子领域前景”。Sheridan补充说“通过集成所有与门极驱动相关的电路，几乎所有与频率相关的功率损耗都被消除，开启了大幅度提高频率和提升效率的大门，促进高速电力电子革命。我们预计移动快速充电器，薄型电视，高效率数据中心，LED照明，太阳能和电动车市场将会进入重大升级周期”。
“弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心(https://cpes.vt.edu/)在过去三十年里一直都是高频电力系统的先锋。”全球公认的杰出教授Fred Lee解释说。 “氮化镓(GaN)功率IC的发明是重要的行业突破，是使高速，高效率电力系统成为现实的关键因素。这是电力行业激动人心的时刻”。
全球领先的功率半导体市场研究员，Yole Developpement的Hong Lin博士写到：“大家都认识到氮化镓(GaN)有潜力大部分取代150亿美金的功率硅芯片市场，但是来自驱动和控制高速氮化镓(GaN)功率器件的系统成本效益的挑战令其应用受到限制。 单片集成逻辑，模拟和功率的氮化镓(GaN)功率IC解决了这个障碍从而实现GaN的全部潜能。”
NV6131，NV6105和NV6115(5x6mm QFN)可以交付合作伙伴使用。
