英特尔在14纳米及10纳米制程推进出现延迟，已影响到处理器推出时程，也让业界及市场质疑：摩尔定律是否已达极限?不过，英特尔仍积极寻求在7纳米时代重回摩尔定律的方法，其中两大武器，分别是被视为重大微影技术世代交替的极紫外光(EUV)，以及开始采用包括砷化铟镓(InGaAs)及磷化铟 (InP)等三五族半导体材料。
摩尔定律能否持续走下去，主要关键在于微影技术难度愈来愈高。目前包括英特尔、台积电、三星等大厂，主要 采用多重曝光(multi-patterning)的浸润式微影(immersion lithography)技术，但当制程技术走到10纳米世代时，高密度的逻辑IC需要进行至少4次的曝光制程，制造成本自然大幅拉高。
为了解决微影曝光制程的成本问题，半导体大厂近几年已着手进行EUV微影技术的研发，近一年来，EUV技术虽然有明显突破，但在量产上仍未达到该有的经济规 模。不过，根据EUV设备大厂艾司摩尔(ASML)的说明，今年若能将每日曝光晶圆产能提高到超过1，500片，将有助于业界开始采用EUV技术。
英特尔已规画在7纳米制程开始采用EUV技术，若是可以达到量产经济规模，则英特尔可望在7纳米世代重新回到摩尔定律的循环。至于台积电部份，已计画在7奈米开始进行试产，若一切顺利，将可在5纳米世代开始导入EUV技术。不论英特尔或台积电，EUV量产的时间点约落在2020年左右。
半导体材料也是延续摩尔定律的重要改变。英特尔已开始试着采用包括砷化铟镓(InGaAs)及磷化铟(InP)等三五族半导体材料，希望能够在7纳米之后进行材料上的改变，只要能重回摩尔定律的循环，英特尔的处理器发展策略就可回到二年循环的轨道。
台积电16纳米开始采用鳍式场效电晶体(FinFET)制程，而10纳米及7纳米世将延续采用FinFET技术，而到5纳米之后，也已计画更改半导体材料。据了解，台积电很有可能会在5纳米世代采用InGaAs的三五族半导体材料，来维持摩尔定律的有效性。
