降低了导通电阻的+60V耐压的功率MOSFET“STripFET F7 MOSFET系列”。该系列属于n沟道型，不仅降低了导通电阻，还降低了输入输出电容和栅极电荷量。该公司介绍称，“导通电阻与栅极电荷量的乘积—— FOM(品质因数)极好”。另外，体二极管的反向恢复电荷很小，因此适合高速开关工作。不仅适用于通信设备、服务器、台式电脑、工业设备的DC-DC转换器，还适用于光伏发电用微型逆变器等。
该系列是采用沟道结构的功率MOSFET。意法半导体推出了封装不同的多款产品。准备的封装有PowerFLAT 5×6、PowerFLAT 3.3×3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、2-laed H2PAK及6-lead H2PAK。
采用PowerFLAT 5×6封装的“STL90N6F7”的特性如下：最大漏电流在连续时为90A，脉冲时为360A;栅极的阈值电压最小值为+2V，最大值为+4V;栅极- 源极间电压为+10V时，导通电阻为5.4mΩ(最大值);总栅极电荷为25nC(标称值);输入电容为1600pF(标称值)，输出电容为 880pF(标称值)，反馈电容为66pF(标称值);体二极管的反向恢复时间为39.6ns(标称值)，反向恢复电荷为36nC(标称值)。反馈电容与输入电容之比很小，因此可以降低电磁辐射噪声(EMI)。最大工作接合部温度为+175℃。批量购买1000个时，美国的参考单价为0.98美元起。不同封装的所有产品都已开始量产。
