英飞凌推出两款全新功率模块平台，用以提升 1200V 至 6.5 kV 电压级别的高压 IGBT的性能。为使新模块的优点得到更广泛应用，英飞凌将向所有 IGBT 功率模块生产商提供免授权费许可。使用该平台概念的首批产品将包括3.3kV (450A)、4.5kV (400A) 和6.5kV (275 A)等电压等级，并采用全新的100mm X 140mm X 40mm 封装设计尺寸。新模块将于 2015 年 5 月 19 日 至 21 日在德国纽伦堡举办的PCIM展期间亮相，同时低电压等级的封装正在开发中。
高性能可靠的IGBT模块是工业和牵引驱动、风能和光伏、长距离输电等应用的关键技术。历经 30 年开发，芯片技术已发展到能让IGBT满足越来越高的能效和工作温度要求，而且逐渐小型化，可靠性不断提高，成本降低，而仅基于对标准封装技术的有限改进。但面对越来越苛刻和恶劣的应用环境，这种方法已到达极限，使得高功率模块封装技术的改进成为性能持续改善的关键因素。
英飞凌开发的新模块平台符合当前的高功率密度、高能效、长生命周期和高坚固性等新系统要求。此灵活概念允许将相同部件并联，因此使得直流母线端子和电容器的结构更为简化。交流端子可只通过一个汇流排直接并联。这一新型模块的灵活性和可扩展性极大地简化了系统设计，能够让开发人员缩短产品从设计到投放市场的所需时间。全新高功率模块采用最新的封装技术，有助于减少系统总成本和确保设计的未来适用性。
英飞凌科技股份有限公司工业功率控制部高功率产品总监Markus Hermwille表示：“考虑到IGBT技术正面临着越来越多的挑战，我们非常高兴能够推出一种满足当前和可预见未来的工业需求封装技术。我们十分肯定的是，这种全新模块封装将为所有要求苛刻的高功率应用带来极大益处。我们的目标是通过供应全新高功率平台来构建广泛和可靠的基础，这就是我们邀请业界采用这种设计的原因。”
