ST新增经DLA认证的抗辐射器件——JANSR双极晶体管

   日期:2014-08-19    
核心提示:横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST) 在最近召开的巴黎核能与太空辐射效应大会(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布,其现有的JANS/JANSR产品新增一系列经过筛选的获得国防军备后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)认证的JANSR双极晶体管。

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST) 在最近召开的巴黎核能与太空辐射效应大会(NSREC, Nuclear and SPACe Radiation Effects Conference)上宣布,其现有的JANS/JANSR产品新增一系列经过筛选的获得国防军备后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)认证的JANSR双极晶体管。新晶体管拥有同类产品中最佳的抗辐射性能,特别适合航天和高可靠性系统,包括卫星以及核物理(nuclear physics)和医疗应用。

意法半导体自1977年起开始为欧洲航天局(European Space Agency)提供半导体解决方案,在欧洲航天局成立后一直获得该航天局的产品认证。意法半导体不断改善抗辐射产品性能,目前推出的新产品就是一个典型实例。

 


JANS 系统属于意法半导体于2013年发布的欧洲空间元器件协调委员会(ESCC, European Space Components Coordination)项目的创新成果。新发布的JANSR+包括一系列100krad JANSR高剂量速率双极晶体管,意法半导体对每颗晶圆做了额外的100krad低剂量速率(100 mrad/s)测试。此外,意法半导体还宣布其JANSR+产品将提供超低剂量速率(10 mrad/s)测试数据,展示其出色的抗辐射效应性能。

因此,意法半导体的JANSR+系列产品让客户有机会使用抗辐射性能优异且配备所有相关测试数据的抗辐射产品。客户可直接使用这些产品,无需任何额外的筛选成本和交货周期,因此大幅提升了抗辐射产品的市场标准。

意法半导体事业部副总裁兼功率晶体管产品部总经理Mario Aleo表示:“意法半导体为欧洲航天工业提供抗辐射双极晶体管的时间长达35年,我们的产品飞行时间累计超过数亿个小时。我们专门调整的航天技术设计取得了同类最好的抗辐射性能,现在又获得了DLA证书,美国客户将受益于我们的无与伦比的耐辐射性能。”

 
  
  
  
  
 
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