意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)进一步扩大抗辐射产品组合，新推出一系列通过美国 300krad QML-V认证 的LVDS 驱动器、接收器和多工器(multiplexers)。
意法半导体最新的抗辐射器件的性能优于竞争品牌的解决方案，融合经过市场检验的130纳米制造技术与专用芯片架构及布局规则，取得了优异的抗辐射性能和电气特性。该开发项目得到了法国国家太空研究中心(CNES，Centre National d'Etudes Spatiales)和欧洲航天局(ESA，European SPACe Agency)的资金技术支持，将用于商用和政府卫星项目。意法半导体的新产品还通过了QML-V认证，全球航天局和承包商可在航天项目中使用该系列产品。
法国国家太空研究中心环境与元器件部主管Jean-Louis Venturin表示：“这些高性能元器件是意法半导体、欧洲航天局和法国国家太空研究中心多年合作研发抗辐射航天元器件的丰硕成果之一，我们迫切希望这些产品进入欧洲元器件优选目录。”
意法半导体航天与高可靠性事业部经理Jean-Francois Vadrot表示： “我们的新LVDS器件配备整套的辐射测试报告和宏模型，包括生命周期终止和辐射终止，为全球航天市场提供最好的解决方案，同时进一步加强了我们的航天产品组合。”
意法半导体拥有35年的支持全世界政府和商用航天项目的经验，其已安装的元器件创下了数百万个小时的成功飞行记录。意法半导体正在扩大航天应用和高可靠性认证产品的阵容，包括双极晶体管和MOSFET、电压基准芯片、栅驱动器、线性IC和功率转换器。意法半导体在130纳米、65纳米等节点拥有成熟的制造技术和设计能力，还拥有世界唯一的同时通过欧洲航天局(ESA)和国防后勤局(DLA，Defense Logistics Agency)认证的生产设施。
LVDS系列技术说明
新系列包括RHFLVDS31A和RHFLVDS32A驱动器/接收器芯片、RHFLVDSR2D2(LVDS双接口收发器) 和 RHFLVDS228A交叉点开关。在重离子和电离总剂量很大的辐照测试中，所有器件都有极强的稳健性表现，LVDS31A/32A在高达135 MeV.cm²/mg时未见单一事件闭锁效应，并取得业内最高的单一事件瞬变抵抗能力。在电离总剂量高达300krad(MIL-STD-883 TM1019)时，该系列产品的动静态特性无太大变化。
此外，该系列产品输入共模电压范围宽达-4V到 +5V，包括连接电压较低的电源的情况，例如3.3V。宽压可提高系统地电位公差，简化接地设计。
与市面上同类器件相比，意法半导体的新LVDS器件缩短了传播时间和通道间延迟差，因此通道间同步更快，芯片功耗更低，可支持更高的数据传输速率。此外，电源电压的最大绝对额定值(AMR)高达4.8V，确保器件符合太空局元器件降额设计规则，无需任何免责声明。LVDS I/O引脚提供8kV (HBM) ESD保护功能，所有引脚都有冷备用缓冲器和失效保护功能。
