美高森美公司(Microsemi) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列，推出全新的650V解决方案产品系列，新型二极管产品瞄准包括太阳能逆变器的大功率工业应用。
SiC等宽带隙半导体器件采用了最先进的材料，这是众多功率电子和系统设计人员在新设计中所考虑的。与硅材料相比，SiC提供了包括较高击穿场强和较高导热性在内的数项优势。这些特性可让设计人员创建具有较好性能特性的产品，包括零反向恢复、温度独立行为、较高的电压能力和较高的工作温度，以达到全新的性能、效率和可靠性水平。
美高森美公司功率产品部门高级产品营销经理James Kerr表示：“美高森美的SiC功率半导体器件是寻求提升系统效率的功率电子设计人员的理想选择，碳化硅是我们众多客户的颠覆性(game- changing)技术。凭借公司内部的制造能力、全面的SiC解决方案产品组合，以及包括数款全新SiC产品的发展蓝图，美高森美拥有把握这个不断增长的市场机会的有利条件。”
美高森美全新650V SiC肖特基二极管产品组合包括：
• APT10SCD65K (650V、10A、TO-220 封装)
• APT10SCD65KCT (650V、10A、 共用阴极TO-220 封装)
• APT20SCD65K (650V、20A、TO-220 封装)
• APT30SCD65B (650V、30A、TO-247 封装)
新的解决方案还用于公司的功率模块产品，功率模块用于航空航天、焊接、电池充电和其它大功率工业应用。
