东芝公司开发出一种带MIPI RFFE接口的SP10T射频天线开关,其插入损耗[3]堪称智能手机市场业界最低,尺寸堪称业界最小。该产品即日起交付样品。
新产品运用了“TaRF5”——一种采用绝缘硅(SOI)技术打造的新一代TarfSOI(东芝先进的RF SOI)工艺。相较于采用TaRF3工艺打造的产品而言,采用TaRF5工艺打造的新样品的插入损耗(f=2.7GHz)改善了25%,尺寸缩小了 40%。这些改进可延长电池工作时间,缩小安装空间,还有助于缩小应用产品的尺寸。
自从2009年为智能手机射频天线开关开发SOI-CMOS工艺以来,东芝已经相继开发出了可改善性能的新一代工艺和设备。随着LTE和LTE-Advanced[7]相继在全球获得采用,市场对射频天线开关的需求也倾向于多端口与复杂功能。为满足这些市场需求,东芝计划继续开发低插入损耗、小尺寸的产品。