2011年10月14日–应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新系列的有源时钟产生器集成电路(IC)，管理时钟源的电磁干扰(EMI)及射频干扰(RFI)，为所有依赖于时钟的信号提供降低全系统级的EMI。
新的P3MS650100H及P3MS650103H低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)降低峰值EMI时钟产生器非常适合用于空间受限的应用，如便携电池供电设备，包括手机及平板电脑。这些便携设备的EMI/RFI可能是一项重要挑战，而符合相关规范是先决条件。这些通用新器件采用小型4引脚WDFN封装，尺寸仅为1mmx1.2mmx0.8mm。这些扩频型时钟产生器，是提供业界最小的独立式有源方案，及在时钟源以和源自时钟源的下行时钟及数据信号处降低EMI/RFI。
P3MS650100H及P3MS650103H支持的输入电压范围为1.8伏(V)至3.3V，典型偏差为0.45%至1.4%，在时钟源降低EMI/RFI的频率范围在15兆赫兹(MHz)至60MHz。工作温度范围为-20ºC至+85ºC。
安森美半导体定制工业及时序产品副总裁RyanCameron说：“需要符合EMI规范同时控制成本及把印制电路板(PCB)占用面积减至最小，是移动应用的重要挑战。我们新的降低EMIIC克服这些挑战，提供在时钟源及源自时钟源的下行时钟及数据信号处降低EMI/RFI的高性价比方案。设计工程师在设计周期及早采用这些器件，可无须其他方案及加入成本不菲的额外PCB层或屏蔽来处理EMI/RFI问题。”
安森美半导体计划在2012年第1季度推出这系列更多针对不同频率范围及派生版本的IC。
封装及价格
P3MS650xxxH采用4引脚WDFN封装，每批量10,000片的单价为0.37美元。
关于安森美半导体
安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
