瑞晶成为30纳米制程转换最快的台湾DRAM厂

   日期:2011-07-04     来源:21IC    
核心提示:瑞晶公司日前提出新的议案。将30纳米制程转换资本支出提至18.15亿元。这一议案将刺激瑞晶公司成为30纳米制程最快的台系DRAM厂。
瑞晶董事会日前通过30纳米制程转换资本支出18.15亿元决议案,并冲刺单月产能到年底达到8.8万片,成为迈向30纳米制程进展最快的台系DRAM厂。此外,董事会也通过,向台湾欧力士公司申请机器设备售后租回融资约10亿元,持续添购重要半导体制程设备如ASML的浸润机台等。

  董事会也通过提报尔必达法人董事代工五味秀树担任董事,并将提报最近一次股东会讨论。瑞晶是尔必达和力晶合资公司,在尔必达技术支持下,目前也是率先导入30纳米制程量产的DRAM厂。

  瑞晶预定将30纳米制程的产能进一步提升逾4万片,昨天董事会通过18.15亿元的资本支出,将包含月产能由目前的4万片,到年底达8.8万片的制程转换费用支出,冲刺进度领先业界。瑞晶第一季税后纯益18.29亿元,每股税后纯益0.62元;第二季仍会赚钱,且是少数第二季还能赚钱的DRAM厂;为进一步降低成本,7月将量产30纳米制程产品,预计今年底每月8.8万片。

 

  DRAM(DynamicRandomAccessMemory),即动态随机存取存储器最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。(关机就会丢失数据)

 
  
  
  
  
 
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