International Rectifier（IR）公司日前宣布，他们已成功研制出具有革命意义的基于氮化镓（GaN）材料的新一代功率器件技术平台，该平台将为诸多领域内的关键应用提供强力支持。
根据IR提供的数据，GaN功率器件的综合性能比当前最先进的硅材料器件还要高出10倍以上，因此，它的问世可望为计算、通讯、汽车、家电等各个领域的性能提升和节能降耗带来新的契机。
GaN功率器件技术平台是IR公司在其原有的“GaN-on-silicon”外延专利技术的基础上历时五年研制而成的。该平台凝聚了IR公司60年来在交-直功率变换、直-直功率变换、电机驱动、照明系统、高密度音频、汽车系统等领域所积累的专业知识和工程经验，其蕴含的理念已远远超越了当今最前沿的分立式功率器件，有望为功率变换解决方案带来革命性的突破。
该平台基于150毫米GaN-on-Si外延技术，采用成熟的器件制造工艺，能保证较高的器件成品率和产能，在将新技术付诸应用的同时也做到了符合成本效益。它将为客户提供世界一流水平的、具备商业价值的GaN功率器件制造平台。
IR公司总裁兼首席执行官Oleg khaykin指出：“GaN技术平台及其相关知识产权进一步巩固了IR在电力半导体器件领域的领袖地位，并且预示着一个功率变换技术新时代的来临。该平台的研制成功将有力地促进我们的核心任务，即，帮助客户节省能源”。
“根据我们的预期，这种新器件技术平台对功率变换市场带来的影响，将绝不亚于IR在30年前推出的HEXFET”，他接着补充道。
据悉，GaN器件生产平台的样机将于近期提供给几家主要的OEM客户，供他们在慕尼黑电子商务展上展出（2008年11月11日～14日）。
Oleg khaykin还表示：“GaN器件的主要优势在于功率密度、功率转换效率和成本，因此，我们相信GaN技术平台的早期使用者将是那些目标市场能充分利用和发挥这些特点的OEM商”。
在未来的两个星期，IR公司将在一些重要的行业活动中大力推广他们的GaN功率器件技术平台，这些活动主要包括：旧金山2008数字电源论坛（9月15日至17日）、圣何塞2008嵌入式电源会展（2008年9月17日至18日），以及爱尔兰2008片上电源国际研讨会（9月22日至24日）。
