日前，设计与制造面向可推动移动通信的应用的高性能射频系统与解决方案的供应商 RF Micro Devices, Inc.宣布，该公司在 6 月 5-7 日于夏威夷、檀香山举行的 2007 年 IEEE MTT-S 国际微波研讨会上展出了用于无线基础设施的新系列 GaAs pHEMT 低噪声放大器 (LNA)，并展示其面向商业及军事应用的 GaN高功率产品。
RFMD 展出 RF386X 系列 LNA，该系列器件是蜂窝及 WiMAX 基础设施市场的理想选择。这些新型宽带 LNA 提供了 700MHz～3800MHz 的功能，并且完美结合了比同类竞争解决方案更出色的噪声与线性。RF386X 系列 LNA 非常适用于面向 CDMA、PCS、DCS、UMTS、WLAN 及 WiMAX 应用的第一阶段低噪声及线性驱动放大。
此外，RFMD 还在自己展台主持了两场 RF 产品演示，充分展示采用其第一代 48V GaN 晶体管技术的 RF 产品。
首先，RFMD 展示了 RF3934 的 RF 功率性能，这是 RFMD RF393X 产品系列中的一款 48V GaN 120W 功率晶体管。RF393X 产品系列可提供 10W～120W 的功率性能以及超宽的可调带宽 — 展示了 GaN 技术提供的高功率与带宽的出色组合，该技术远胜于竞争的 GaAs 及硅技术。RF393X 系列可提供极高的峰值效率，并且适用于广播、蜂窝无线基础设施、高功率雷达、航天及航空电子等应用。
其次，RFMD 展示了 RF3825 的 RF 功率性能，这是 RFMD RF382X 产品系列中的一款 28V GaN 10W 宽带功率 IC。RF3825 在 225MHz～1800MHz 的频率范围内提供功率性能，是 RF382X 产品系列中带宽最宽的产品。在比同类竞争解决方案更小的单个解决方案中，RF3825 在多个倍频程中展示了 10W 功率性能。RF382X 系列在工作带宽中提供了极高的峰值效率，非常适用于 3G 蜂窝基础设施、军用通信、软件可定义无线电 (SDR) 及公共移动无线电等应用。
此外，该公司还展出了高整合度 RF 解决方案系列，其中包括用于 GSM/GPRS、EDGE、CDMA 及 WCDMA 手机的 RFMD 业界领先蜂窝前端，用于 GSM/GPRS 及 EDGE 手机的 POLARIS TOTAL RADIO RF 解决方案，WLAN 前端，以及基于软件的 GPS 解决方案。
