内存IP特性化与电路仿真软件厂商莱智科技股份有限公司近日宣布，Dongbu HiTek已经采用莱智科技的CharFlo- Memory!与MSIM电路仿真器，以获得嵌入式内存对象模型特性化的最佳表现与硅制良率。莱智科技的内存智财特性化工具组可根据布局萃取电路后含电阻及电容的仿真资料，在客户提供之内存编译器不同PVT（工艺，电压，温度）状况下，产生精确的内存对象模型。Dongbu HiTek便是选择采用莱智科技的CharFlo- Memory!工具组做为他们内存特性化高品质时程与功率模型的标准解决方案。
Dr. Taeksoo Kim, Executive VP at at Dongbu HiTek表示：在现今的系统单芯片设计中，嵌入式内存不但占用芯片里的大块面积，同时也是硅制成功与否的关键因素；内存对象模型的精确度对达成系统单芯片设计高功效与高良率的影响至为重要。因此我们选择采用莱智科技内存IP特性化工具组CharFlo-Memory!，产生客户内存编译器的芯片对象模型，莱智科技的CharFlo- Memory!能帮助我们在不同客制化的PVT（工艺，电压，温度）状况下，取得精确的模型资源库模型。另外，也同时采用莱智科技高精确度的MSIM电路仿真器工具，也帮助我们在特性化过程中，巨幅提升数据处理量与讯息的正确度。”
使用CharFlo-Memory!工具组可防止由于设定与持续时间不正确的模型所产生短时脉冲波干扰与不定稳态等信赖度问题；特别在感测放大器读取循环的输入值可能还小于噪声边限(e.g. 100mv.)的情况下，更容易造成错误的资料输出值。这类问题通常出自PVT（工艺，电压，温度）的变化，以及在低功率、高效率的芯片设计中。
莱智科技总裁兼执行长魏游邦表示：“嵌入式内存模型的品质，无论对于深次微米硅制产的成功或纳米系统芯片设计，都是至为攸关的影响。对深层次微米与纳米系统单芯片设计的硅制成功影响相当重要。采用莱智科技CharFlo- Memory!工具组，Dongbu HiTek于内存再特性化与各种客制化的PVT（工艺，电压，温度）验证，皆能获得领先解决方案。我们很高兴经由与Dongbu HiTek密切合作的机会，贡献己力于协助客户设计出兼具高正确度与高处理量的完美系统芯片。”
