Vishay新增10颗采用eSMP®系列MicroSMP封装的1A和2A器件

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1A和2A器件的高度为0.65mm,正向压降低至0.36V。显著节省空间并提高功率密度和效率

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,新增10颗采用eSMP®系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,扩充其表面贴装的TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器节省空间,可替换SOD123W封装的肖特基整流器,反向电压从45V到150V,其中业内首颗采用MicroSMP封装的2A TMBS整流器的正向压降低至0.40V。

目前,2A电流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封装。今天发布的这批器件在较小的MicroSMP封装内也可以输出高正向电流,从而提高了功率密度。整流器的尺寸为2.5mm x 1.3mm,高度0.65mm,比SOD123W薄35%,同时占板空间少45%。为实现良好的散热性能,MicroSMP封装采用了不对称的引线框架设计。

1A整流器的正向压降为0.36V,2A器件的正向压降为0.40V,够减少功率损耗,提高效率。针对低压高频逆变器,DC/DC转换器,续流以及极性保护等工业和商业应用。这些器件还有通过AEC-Q101认证的版本,可用于汽车应用。

新整流器的最高工作结温达+175℃,潮湿敏感度等级达到per J-STD-020的1级,LF最高峰值为+260℃。器件非常适合自动贴装,符合RoHS,无卤素。

器件规格表:

新的TMBS整流器现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周。

 
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