全新的先进低频噪声分析仪提供独特的晶圆器件噪声测量和建模功能
Ÿ先进的低频噪声分析仪与 WaferPro Express 紧密集成，提供完整的噪声测量，以及直流特性、电容和射频 S 参数测量
Ÿ软件模块测量直流特性、1/f 噪声和随机电报噪声，并进行数据分析
Ÿ是德科技与Cascade Microtech密切协作，提供全套晶圆上解决方案，它能够对所有主要晶圆探针台系统实施自动化控制
是德科技公司宣布推出最新款的高性能先进低频噪声分析仪(A-LFNA)，旨在实施快速、准确、可重复的低频噪声测量。该版本配备全新用户界面，并与是德科技的 WaferPro Express 软件紧密集成——这是一款对半导体器件执行自动化晶圆级测量的平台。作为这一大框架的组成部分，该平台能让工程师更好地理解器件和电路中的噪声。相比之下，独立系统要达到同样目标，需要进行大量复杂测量。
当今的半导体器件表征工程师通常希望采用灵活、可扩展的噪声测量系统。他们尤其需要一个功能强大的综合性平台，以便将先进的低频器件噪声测量和分析与晶圆级测量集于一身，从而能够管理完整的晶圆级表征。是德科技的 A-LFNA 与 WaferPro Express 软件完美集成，能够提供这样的功能。该综合解决方案有助于工程师对晶圆级以及封装的各类元件、单独器件和集成电路进行噪声测量。与以前一样，使用 WaferPro Express 的工程师可以通过编程执行快速直流、电容和射频S参数测量，并可排列测量顺序，同时自动化控制探针台。现在，随着噪声测量模块的推出，他们能将噪声测量和分析添加到测试套件中。
A LFNA 内置的测量程序能进行完整的直流和噪声测量。例如，为了测量 N 型 MOSFET 上的噪声，系统会自动选择能最好地呈现固有器件噪声的源和负载阻抗。工程师可以采用这些建议的设置，也可以对其做出更改，然后启动噪声测量。A-LFNA 会对噪声功率谱密度(1/f 噪声)和时域的RTN噪声进行测量。得出的数据在多图数据显示窗口中绘图显示。各种窗口选项卡有助于执行常见的任务，如评测器件的直流工作点，以及测量功率谱密度曲线的斜率。使用是德科技的Model Builder Program(MBP)和 IC-CAP 等器件建模工具，也可以通过器件模型对噪声数据进行分析并显示结果。电路设计人员能够使用这些器件模型来确保高精度的射频和模拟低噪声电路设计。
是德科技副总裁兼设计与测试软件事业部总经理 Todd Cutler 表示：“我们的客户在进行器件表征和建模时，会面临不同的测试需求，包括氮化镓可靠性、CMOS 建模和磁性传感器测试等。通过 A-LFNA 的新软件用户界面，我们为客户提供了独一无二的能力，使其能对晶圆上的器件噪声进行测量和建模，同时还为他们提供了全面、灵活的测量选项，用于测量从直流到电容再到微波频率 S 参数的各方面特性”。
是德科技的 A-LFNA 具有业界领先的噪声灵敏度(-183 dBV2/Hz)，器件建模和电路表征工程师能用它来快速、准确地表征高压(200 V)和超低频率(0.03 Hz)的器件。这种能力使其非常适用于半导体工厂开发制程设计套件，以及在器件制造过程中进行统计制程控制。运算放大器和线性稳压器的 IC 制造商还可以使用 A-LFNA 来表征其技术资料中的输出电压噪声技术指标。
