德州仪器 (TI) 推出其NexFET 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。
CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率，同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。例如：25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大导通电阻，而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的最大导通电阻。请下载阅读一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A热插拔参考设计，来进一步进行了解。
TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可与面向DC/DC控制器应用的LM27403配合使用，从而构成一套完整的同步降压型转换器解决方案。 CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET则可与诸如TPS24720等TI热插拔控制器配套使用。阅读 《稳健可靠的热插拔设计》，可进一步了解如何将一个晶体管选用为传输元件，以及怎样在所有可能的情况下确保安全运作。
| 器件型号 | 应用 | Vds/Vgs | 封装 (mm) |
导通电阻最大值 (mΩ) |
Qg (4.5) (nC) | |
| 4.5V | 10V | |||||
| CSD16570Q5B | ORing / 热插拔 | 25/20 | QFN 5x6 (Q5B) |
0.82 |
0.59 |
95 |
| CSD17570Q5B | 30/20 |
0.92 |
0.69 |
93 |
||
| CSD17573Q5B | 低端降压 / ORing / 热插拔 | 30/20 | QFN 5x6 (Q5B) |
1.45 |
1 |
49 |
| CSD17575Q3 | 低端降压 | 30/20 | QFN 3.3x3.3 (Q3) |
3.2 |
2.3 |
23 |
| CSD17576Q5B | QFN 5x6 (Q5B) |
2.9 |
2 |
25 |
||
| CSD17577Q5A | 高端降压 | 30/20 | QFN 5x6 (Q5A) |
5.8 |
4.2 |
13 |
| CSD17577Q3A | QFN 3.3x3.3 (Q3A) |
6.4 |
4.8 |
13 |
||
| CSD17578Q3A |
9.4 |
7.3 |
7.9 |
|||
| CSD17579Q3A |
14.2 |
10.2 |
5.3 |
|||
| CSD85301Q2 | 双路独立 FET |
10月20日 |
QFN 2x2 (Q2) |
27 |
不适用 |
4.2 |
| CSD13383F4 | 负载开关 |
12月10日 |
FemtoFET 0.6x1.0 (0402) |
44 |
不适用 |
2 |
