德州仪器(TI)近日宣布推出其综合的超低功耗FRAM 微控制器(MCU)平台。该平台配备了所有必要的硬件和软件工具，支持开发人员降低能源预算，最大限度地缩减产品尺寸并致力于实现无电池的世界。TI全新MSP430FR59x/69x FRAM MCU产品系列集成了涵盖32KB至128KB嵌入式FRAM的EnergyTrace++™实时功耗分析器和调试器。这些MSP430™ MCU非常适用于智能计量仪表、可佩戴式电子产品、工业和远程传感器、能量收集装置、家庭自动化设备、数据采集系统、物联网(IoT)以及更多需要超低功耗、灵活内存选择和智能模拟集成的应用。
采用嵌入式FRAM的TI创新型超低漏电(ULL)专有技术可在-40至85摄氏度的整个温度范围内提供全球最低的系统功耗【运行功耗为100μA/MHz，精确实时时钟(RTC) 待机功耗为 450nA】和业界领先的功率性能。全新的FRAM MCU包括各种智能模拟外设，如在转换速率为200 ksps时耗电流低至140μA的差分输入模数转换器(ADC)以及可在系统处于待机状态时运行的增强型流量计量扫描接口，从而使功耗降低10倍。此外，集成式8-mux LCD显示器和256位高级加密标准(AES)加速器也可降低功耗，缩减材料清单成本并节省电路板空间。
采用EnergyTrace+ +技术实时调试能量
TI的新型EnergyTrace++技术是全球第一个能使开发人员为每个外设实时分析功耗(电流分辨率低至5nA)的调试系统。这使工程师能控制自己的功耗预算并优化软件，竭尽所能创造出能耗最低的产品。这项新技术现在可用于MSP430FR59x和MSP430FR69x MCU产品系列，并配备全新的低成本MSP430FR5969 LaunchPad开发套件。
借助FRAM的独特功能挑战超低功耗
除具有显著的节电优势外，TI的MSP430FR59x/69x FRAM MCU产品系列还具有以下无与伦比的特性，超出了开发人员的预期：
无限的可擦写次数。无可匹敌的读取/写入速度意味着FRAM MCU比传统非易失性存储器解决方案的擦写循环次数多100亿次以上 — 擦写周期超过了产品生命周期本身。
灵活性。FRAM具有独特能力，使开发人员摆脱代码和数据存储器之间的传统界限束缚。用户无需再受限于业界标准闪存与RAM的比率或为增加的RAM需求支付额外费用。
易用性。FRAM可简化代码开发。由于FRAM无需预先擦除段，并可基于比特级被存取，使恒定的即时数据记录成为可能。无线固件更新复杂程度降低，速度加快且能耗减少。
TI超低功耗FRAM MCU产品组合的特性与优势
FRAM是唯一的非易失性嵌入式存储器，可在电流低于800μA的情况下以8Mbps的速率被写入 — 比闪存快100倍以上。
借助引脚对引脚兼容性和可扩展的产品组合(由TI超低功耗MSP430™ MCU FRAM产品平台内32KB至128KB的器件组成)，使开发工作变得更轻松。
借助MSP430 FRAM和闪存组合之间的代码和外设兼容性，利用MSP430Ware™来简化迁移。
可取代EEPROM，旨在设计出写入速度更快、功耗更低且内存可靠性更高的安全产品。
256位的AES加速器使TI的FRAM MCU能确保数据传输。
适合开发人员使用的丰富资源包括详细的迁移指南和应用手册，以简化从现有硅芯片到MSP430FR59x/69x MCU的迁移。
