霍尼韦尔推传感器集成电路 增强电子设计灵活性

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近日,霍尼韦尔宣布在业内率先发布超低功耗磁阻传感器集成电路。这些传感器能耗极低(360nA),却能提供最高等级的磁灵敏度(典型应用低至7高斯),相较于其他广泛应用的磁技术,新引入的传感器能为设计工程师带来许多优势。

霍尼韦尔新型纳安系列磁阻传感器集成电路的灵敏度及成本与传统的磁簧开关相同,但外形更小巧、运行更持久、性能更可靠,十分适合蓄电池驱动装置。而相较于霍尔效应传感器,新型纳安系列磁阻传感器集成电路具有更高的灵敏度,其探测气隙距离的能力是霍尔效应传感器的2倍。更高的灵敏度不仅能提升设计灵活性,还能通过使用更小或更低强度的磁铁来减少应用成本。

霍尼韦尔方面表示,目前,由于稀土磁铁价格的大幅上涨,原使用霍尔效应传感器的设计工程师们正通过减少使用磁性材料或改用更普通的磁铁积极寻找降低总成本的方法。同时,为了缩减尺寸、提升质量和持久性、最大化电池使用寿命,设计工程师们不断探索替代磁簧开关的方法。霍尼韦尔新型纳安系列磁阻传感器集成电路应时而生,其专为多种蓄电池驱动装置而设计,包括水表、煤气表、电表、工业烟雾警报器、健身设备、安防系统、手持式计算机、扫描仪、大型家用电器(如洗碗机、微波炉、洗衣机、冰箱和咖啡机)、医疗设备(如病床、药物分发柜和输液泵)以及消费性电子产品(如笔记本电脑、平板电脑和无线扬声器)等等。

 
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