德州仪器(TI)宣布推出14款采用TO-220及SON封装的功率MOSFET，其支持40V至100V输入电压，进一步壮大了TI普及型NexFET产品阵营。高效率NexFET包括 40V、60V、80V以及100V N通道器件，可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。
最低导通电阻
两款最新80V及100V NexFET器件可在不影响高栅极电荷的情况下，通过TO-220封装实现业界最低导通电阻，从而可在更大电流下为设计人员提供更高的电源转换效率。 CSD19506可在高达80V的输入电压下支持2.0毫欧姆的导通电阻，而CSD19536则可在100V输入电压下支持2.3毫欧姆的导通电阻。这两款产品都采用支持高雪崩性能的塑料封装，支持高应力电机控制应用。此外，设计人员还可通过访问TI获奖的WEBENCH在线设计工具便捷选择最新产品，模拟电源设计。
简单易用的评估板
TI还基于60V NexFET产品推出了几款简单易用的评估板，都可通过TI eStore订购：
●步进电机前置驱动器：DRV8711EVM评估板基于DRV8711步进电机控制器，与NexFET器件搭配，可驱动一个大电流双极步进电机或两个有刷DC电机;
●电机驱动BoosterPACk：BOOSTXL-DRV8301套件是基于DRV8301前置驱动器的10A三相位无刷 DC 驱动级，适用于学习无传感器无刷控制技术以及驱动级设计的人员;
●数字电源：UCD3138PSFBEVM-027可帮助电源开发人员设计数控移相离线12V、360W电源转换器应用;
●负载点控制：TPS40170EVM-597评估板支持TI具有2个NexFET器件的TPS40170同步降压控制器。
