美高森美公司推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500

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 美高森美公司(Microsemi Corporation) 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用,ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。

在2.7 至2.9 GHz频段上,2729GN-500晶体管具有无与伦比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏极效率性能,通过单一器件在这个频段上提供最大功率,主要特性包括:

· 标准脉冲间歇格式: 100µs, 10 % DF

· 出色的输出功率: 500W

· 高功率增益: >11.5 dB min

· 漏极偏压−Vdd: +65V

· 低热阻: 0.2℃/W

使用GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现的系统优势包括:

· 具有简化阻抗匹配的单端设计,替代需要额外合成的较低功率器件

· 最高峰值功率和功率增益,可减少系统功率级数与末级合成

· 单级对管提供具有余量的1.0 kW峰值输出功率,通过四路组合提供全系统2kW峰值输出功率

· 65V的高工作电压减小电源尺寸和DC电流需求

· 极其稳健的性能提升了系统良率,而且

· 放大器尺寸比使用硅双极结晶体管(Si BJT)或横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的产品减小50%

封装和供货:

2729GN-500晶体管采用单端封装供货,在密封的焊料密封封装中采用100% 高温金镀金线材布线,实现长期军用级可靠性。

 
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