宜普电源转换公司推出氮化镓场效应晶体管EPC2012

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  宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。

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  EPC2012FET是一款面积为1.6平方毫米的200VDS器件,RDS(ON)最大值是100mΩ,栅极电压为5V。这种eGaNFET具有比第一代EPC1012eGaN器件明显更高的性能优势。EPC2012的脉冲额定电流提高至15A(而EPC1012只有12A),因此在较低栅极电压时,其性能得以全面增强,而且由于提高了QGD/QGS比率,EPC2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。

  与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2012体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaNFET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

  “随着宜普氮化镓场效应晶体管系列产品的不断扩展,氮化镓场效应晶体管的性能标杆得以进一步提升。另外,这种新一代eGaN产品是业界首批不含铅及符合RoHS要求的器件。”共同创始人兼首席执行官AlexLidow表示。

 
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