Zetex推出新型双极器件 提升电源效率

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 Zetex近日推出新型ZXTC2045E6器件,它与互补NPN和PNP晶体管集成在一个SOT236封装内,可满足电源设计中大功率MOSFET和IGBT所需的驱动要求。    

  Zetex亚洲副总裁林博文先生指出,在峰值脉冲电流高达5A的情况下,这款新型双极器件能加快栅极电容的充电和放电速度,从而提升效率。由于NPN和PNP器件的射极引脚互相分开,有助于设计人员自由选择独立的电阻值,更准确地控制栅极充电和放电周期。    

  这款双晶体管采用SOT236封装,占板面积只有9 mm2 ,板外高度仅为1.3mm,有助于减少电路板尺寸,提高功率密度。器件的额定工作电压为40V,典型增益为300,适用于各种栅极驱动器电路。

 
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