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ST推出大电流功率场效应MOS晶体管实现最低导通电阻

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意法半导体日前针对汽车市场推出一个新的大电流功率场效应MOS晶体管，该产品采用ST最新优化的 STripFET? 专利技术，实现了最低的导通电阻。新产品STD95N04是一个40V的标准电平的DPAK产品，最大导通电阻RDS(on)6.5毫欧。这个80A的产品是专门为DC-DC转换器、电机控制、电磁阀驱动器和ABS（防抱死制动系统）设计的。与采用传统的沟道技术制造的产品相比，新产品在价格和导通电阻性能上极具竞争力。新产品的典型RDS(on)在5毫欧区间内，能够满足标准阈压的驱动要求。 STD95N04符合汽车电工理事会（AEC）组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的AEC Q101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度175℃ ，100%通过雪崩测试。 ST新的STripFET技术以密度大幅度提高的单元为基础，导通电阻和功耗比上一代技术更低，占用的硅片面积更少。正在开发的其它的功率场效应MOS晶体管将采用相同的技术，以满足DPAK(30V,逻辑电平,典型导通电阻在4.5V时等于4.5毫欧)和D2PAK(40V,标准电平,典型导通电阻在10V时等于2.0毫欧) 的需求。
采用DPAK和TO-220封装的STD95N04现已投入量产。订购10,000件，单价0.38美元。

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