台湾清华大学开发成功了几乎所有工序均采用CMOS工艺的触觉传感器。此次开发的传感器中，手触部分由带保护膜的金属薄膜构成，这层薄膜与下面的金属薄膜构成电容器。手触后，金属薄膜间的距离变小、电容器容量发生变化。通过这种变化实现触觉的感知。
为了实现CMOS工艺下的开发，牺牲层使用了金属。这样一来，金属薄膜就会在牺牲层刻蚀阶段被一同刻蚀处理掉，因此预先对最终所需要的金属薄膜进行了钝化处理，以确保不被刻蚀处理。试制品使用了台积电的2层聚合物4层金属的0.35μm工艺。
