23日， 来自领先的
半导体生产设备厂商德国AIXTRON 公司消息，中国科学院北京半导体研究所（ISCAS）采用他们提供的Thomas Swan MOCVD设备开发出世界首个近紫外波长的半导体激光器。
半导体所2年前安装此设备，主要用于GaN器件的研究。经过2年多时间的努力，在集成光电子国家重点
实验室杨辉教授的带领和陈良惠教授带领的另外一个组的配合下，他们成功开发了中国大陆第一个近紫外光的半导体激光器。这种激光器采用5周期InGaN/GaN 多量子阱结构作为有源层，AlGaN/GaN超晶格作为包层，光波长为410nm。
