我国集成智能传感器的发展还有待加强

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  目前集成电路技术发展非常迅速,我国国有资金和技术等方面的不足,同国外的差距还很大,国外集成电路的主流工艺正由 0.35μm向0.18μm推进,而我国还是在1μm-3μm的工艺线上占主导地位,在未来的10年~20年是内,我国将难在集成电路制造领域同国外大公司抗衡。
  集成智能传感器是较新的发展领域,具有广阔的市场空间,它主要利用集成电路的工艺和微机械加工技术取得研究进展,但比国外集成电路的主流工艺要落后到两代以上。如果我国把集成智能传感器的研制和生产作为半导体工艺的主要发展方向之一,就可以在现在的集成电路工艺线和微机械加工的优势基础上另辟蹊径,使集成智能传感器的研制与生产具有一定功能模块化能力,为传感器产业的集成化智能化发展积累新的技术,并拓展应用领域的广泛性,使其成为未来传感器发展的主流。

新闻来源:www.sensorsnews.com


 
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