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半导体所HgTe二维电子气边缘态输运的全电控制研究获进展

普通的半导体材料二维<span class="highlight">电子气</span>的霍尔沟道在外磁场下会展现整数量子霍尔效应。其物理起源是洛伦兹力导致沟道边...