微电子所在新型硅基环栅纳米线MOS器件研究中取得进展
近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线(Gate-all-around silicon nanowire,GAA SiNW...
中科院微电子所IGBT芯片研制:80后的跨越
中科院<span class="highlight">微电子所</span>超高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片的年轻研究团队紧张而期待。由他们设计的一款IGBT芯片,...
热门文章
热点排行