宽禁带半导体(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于2eV...

近日，中国科学院微电子研究所<span class="highlight">微波器</span>件与集成电路研究室太赫兹器件研究组研制出截止频率达到3.37THz的太赫...