2011年10月8日，中国上海——ARM公司与全球领先的半导体晶圆代工商联电（NYSE:UMC;TWSE:2303）近日共同宣布达成长期合作协议，将为联电的客户提供已经通过联电28HPM工艺技术验证的ARMArtisan®物理IP解决方案。这项最新的28纳米工艺技术的应用范围极广，包括手机与无线等便携设备，以及数字家庭和高速网络等高性能应用。此次合作集合了两家公司的优势，将为双方的客户提供卓越的技术与支持。
针对先进高K金属栅28HPM处理平台推出全方位物理IP解决方案
ARM物理IP部门执行副总裁兼总经理SimonSegars表示：“我们很高兴联电在28HPM工艺上采用ARMArtisan物理IP。至此，双方客户将能够获得完整的先进物理IP解决方案用于实现ARM技术，例如ARMCortexTM-A系列处理器。拓展ARM和联电的合作关系，将加深双方在28纳米节点上的工艺技术与先进物理IP的开发方面的合作与创新，进而优化性能、功耗效率和芯片密度，并体现ARM为先进工艺节点设计提供多样化技术平台的承诺。”
联电客户工程与IP研发设计支持部门副总裁S.C.Chien表示：“我们很高兴能进一步拓展与ARM之间已超过10年的长期合作关系。这项由联电赞助的发展计划，将能够为客户在联电各个先进的工艺技术上提供全方位的ARM物理IP解决方案，也有助于缩短产品在重要市场应用上的上市时间。此外，这项合作进一步凸显了我们的承诺，将行业领先的资源，提供给采用联电最尖端的28纳米工艺节点的客户。”
联电的gate-last28HPM工艺技术，具有卓越的性能、超低漏电的高K金属栅结构等特点，能够提供多种器件电压、记忆单元、低速或超速运行能力，可以帮助片上系统设计师实现高性能和更长的电池续航能力。联电的28HPM工艺技术预计于2012年中期投入试产。
