2011年6月28日，科技部组织专家在上海召开了国家科技支撑计划“IC关键装备性能检测系统研制及制程技术开发”项目验收会议。
该项目完成了成像质量专用离线检测系统和成像质量专用原位检测与测校系统的研发，并进行了曝光系统性能优化；完成了12英寸刻蚀反应室优化及工艺开发、8英寸设备生产线稳定性技术开发及全流程产品验证；完成了中束流离子注入机的束线系统优化、离子束流品质检测及控制系统研制、离子注入工艺稳定性一致性研究等工作，初步建立了中束流离子注入工艺参数数据库。项目在光刻机、刻蚀机、离子注入机检测及工艺研发等方面取得相关关键技术突破，为国家科技重大专项相关项目的实施提供了重要支撑。
验收专家组经过现场考察、质询和讨论后一致同意通过验收。
