人民网北京4月18日电(记者陈健)英特尔和美光科技近期针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20纳米(nm)制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元(MLC)NAND闪存设备。
据悉,英特尔公司与美光公司推出的全新20纳米制程8GBNAND设备尺寸仅为118平方毫米,与两家公司基于现有的25纳米NAND制程的8GBNAND设备相比,可节约30%-40%的主板空间。
人民网北京4月18日电(记者陈健)英特尔和美光科技近期针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20纳米(nm)制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元(MLC)NAND闪存设备。
据悉,英特尔公司与美光公司推出的全新20纳米制程8GBNAND设备尺寸仅为118平方毫米,与两家公司基于现有的25纳米NAND制程的8GBNAND设备相比,可节约30%-40%的主板空间。