英特尔携手美光推20纳米制程技术 针对NAND闪存

   日期:2011-06-28     来源:人民网    评论:0    
核心提示:记者陈健)英特尔和美光科技近期针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20纳米(nm)制程技术。据悉,英特尔公司与美光公司推出的全新20纳米制程8GB NAND设备尺寸仅为118平方毫米,与两家公司基于现有的25纳米NAND制程的8GB NAND设备相比,可节约30%-40%的主板空间。

  人民网北京4月18日电(记者陈健)英特尔和美光科技近期针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20纳米(nm)制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元(MLC)NAND闪存设备。

  据悉,英特尔公司与美光公司推出的全新20纳米制程8GBNAND设备尺寸仅为118平方毫米,与两家公司基于现有的25纳米NAND制程的8GBNAND设备相比,可节约30%-40%的主板空间。

 
  
  
  
  
 
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