中科院微电子所微波器件与集成电路研究室日前试制出一种新型光电探测器——EVPD原型，并通过850nm的激光与斜面耦合，检测到了明显的光电效应，证明了EVPD方案的可行性。目前，与之相关的“高速芯片之间光互连技术与试验平台”的研制正在该所顺利进行，该所的目标是实现单通道10Gbps的12路EVPD阵列，并应用于12×10Gbps的高速并行光互连模块。
据悉，随着芯片的数据处理能力越来越高，对数据的存储和传输也提出了更高的要求。高速率、高带宽的需求使得以铜线为基础的芯片间电互连成为限制系统性能的瓶颈。光互连能克服电互连在高频状态的一系列缺点，如时延长、电磁互扰严重、串扰大、损耗大，所以光互连是解决芯片间高速互连的有效途径。EVPD(Edge-View-Photodetector)就是为了简化芯片间光互连、降低光学封装成本而设计的。它具有斜面受光、平面电极的特点。光纤或光波导直接与斜面上的光探测区耦合，无需光路90°转折，也就省去了反射镜和微透镜的使用，达到了简化光互连结构，降低成本的目的。
