“美国半导体工业协会”（The Semi-conductor Industry Association，简称SIA）日前宣布，将本年度的“学术研究奖”（UNIversity Researcher Award）授予现任耶鲁大学电机系及微电子中心华裔主任马佐平教授，马佐平是获得此奖项的首位华人。
马佐平表示，这个学术奖设立虽然只有短短五、六年时间，但因不接受报名，候选人由半导体工业界人士推荐產生，其专业性、公正性备受业界肯定，此奖项每年获奖者只有一名。
据美国华文媒体报道，当马佐平得知获得今年的“学术研究奖”，自己也非常意外。他说，“世界电子与电机工程学会”(IEEE)去年曾将年度的安德鲁.葛洛夫奖(Andrew S. Grove Award)颁发给他，他相信这一奖项让评审委员会更加了解他的研究成果。
马佐平指出，自己研发“互补性氧化金属半导体”（Complementary Metal—Oxide Semiconductor，简称 CMOS）闸介极科技（Gate Dielectric Technology）已超过10年，这个安装在电脑记忆体内的半导体，主要有省电、快速处理和节省成本等三项功能，从八○年代起即变成集成电路发展的基础。
他说，去年半导体工业的全球销售总额在2400亿元左右，其中关於CMOS的交易接近两千亿元，是这个行业的主导产品。他的研究成果是为了让未来类似的半导体在高速运算的情形下使用较少的电能，这项科技还可运用在一般生活中如手机、收音机等家电上，让半导体晶体越来越小，运行速度却越来越快。
马佐平说，这项技术现已发展为全球共同研究的课题，他领导的耶鲁大学微电子研究中心，去年底与北京大学微电子研究中心签定了合作协议，共同研究则在今年初正式啟动，如耶今五个研究课题中，已有两个有了初步成果，双方正準备发表论文，向全世界推广介绍。
现年60岁的马佐平出生於中国大陆甘肃省兰州，在台湾求学，1969年自台湾大学电机系毕业后，便前往耶鲁大学攻读硕士与博士学位，他在2003年获选为国家工程学院(Na-tional Academy of Engineering)院士，当时获选的77人中，马佐平是唯一的华裔院士。他将在近期受邀前往加州圣荷西，领取此项“学术研究奖”。
10月下旬，马佐平教授在福建访问期间，分别在福建省信息产业厅和福州大学进行演讲，并受聘福州大学荣誉教授 。
