DRAM（动态随机存取存储器）技术已处于一个关键的时刻，它需要在测试方法上进行重大的调整。ATE供应商Advantest和Agilent科技对于新兴的DRAM技术需求提出了截然不同的两种立场。
Agilent自动测试部门的VP及总经理Debbora Ahlgren认为XDR (extreme data rate) 和GDDR (graphics double data rate) DRAM将需要低成本的新的测试方法，以确保产品的高品质。她提到了65nm甚至45nm工艺制成的内存中出现的错误类型，正因如此就需要新的测试方法。她说，此类设备常发生各种随机故障，包括延迟问题，因此需要高速管脚测试工具进行可靠的探测。
Agilent在二月份推出了93000 HSM，其更好地表达了Ahlgren所阐述的测试上出现的需求。93000 HSM系列有2.2Gbps 和3.6Gbps两个版本，它支持单个测试头16位XDR或者32位GDDR DRAM的测试。同时它也支持高速捕获错误数据的功能以便于良率学习。Ahlgren介绍，93000 HSM系列通过单个插入测试的方式应对内存测试的挑战，它能够测试高速内存核心以及I/O 。
相比之下，Advantest公司的产品设计主管Gary Fleeman认为短期内现有成型的内存测试仪器完全能够胜任。其中也包括他们公司的产品T5501，它适用于多位DDR和DRAM器件的测试。Fleeman说，T5501在DDR模式下工作在2.133 GHz，可良好的用于DDR3和GDDR4器件。
他着重指出，图形内存中不断增长的I/O速度最终将改变现有的仪器。同时他还提出，他们公司的6.5Gbps数字模块将在高速的内存接口测试中发挥重要作用，此模块最初是用于Serdes测试。事实上，十二月的Semicon日本展会上，作为重点推出的模块，Advantest公司明确地定义它的适用性，即DDR和XDR DRAM测试。
Advantest公司的6.5Gbps数字模块可以插入到他们公司的T2000 SOC测试设备中。然而，Fleeman并没有发现T2000正演变成了一个单个插入式的内存测试平台。事实上，他说，“我不认为任何6.5GHz管脚电子器件会变成单个插入式内存测试方式的一部分。目前主流的内存测试都是双插入的。同时，在I/O速度中出现新的部分都不会成为核心的测试。工业上已经认可了长测试时间的结构化核心测试插入方式，之后便是高速的I/O测试。我们既然已经走上了这条路，我们就不会再回头。”
回顾前几个月，我们可以回首我们所走过的内存测试之路。
