英特尔公司与QinetiQ公司日前宣布，他们在基于锑化铟(InSb)技术的量子井(quantum-well)晶体管的预研领域取得重大突破，有望将摩尔定律的效用拓展到下一个十年。
在国际电子器件大会(IEDM)上，英特尔透露，已研制出门长仅有85纳米的InSb基量子井晶体管。英特尔元器件研究总监Ken David表示，该晶体管是增强型器件。
此前于2004年，英特尔与QinetiQ公布了类似的一款量子晶体管，门长为200nm，也使用了InSb材料，为耗散型器件。InSb由周期表的III族和V族元素组成。据QinetiQ公司称，InSb具有超越任何半导体材料的电子迁移率、电子速率和弹道长度，使其成为制造高速、低功率、低噪音晶体管和电路的潜在的理想材料。
英特尔声称，该技术可被用作下一个十年中期的新型材料。在最新的成果中，双方表示，新晶体管工作电压仅有0.5V，内在速度超过300GHz。该技术据称比艺术级的硅MOSFET直流功耗少6到10倍。
