日本DISCO公司现已开发出DAF（DieAttachedFilm，芯片附加薄膜）激光切割设备，在使用厚度不足100μm的硅芯片生产SiP产品时，可提高生产量。
DAF是一种插在层叠芯片之间、厚为10μm～数十μm的薄膜。在使用DAF的SiP制造工艺中，通常是先在薄硅晶圆上贴上DAF之后再进行芯片切割。在切割过程中，不仅要切割硅芯片，还要切割DAF。
过去，在利用硅晶圆切割设备切割DAF时，存在着2大课题。第一，由于硅晶圆切割设备是专为切割硬质材料而设计的，因此用它切割树脂材质的DAF时，切割速度就会下降。这是因为DAF会附着在刀具表面。而在切割硅晶圆时，不仅硅不会附着在刀具表面，而且由于硅的碰撞，刀刃会一点一点地剥落，总是保持可利用新刀刃进行切割的状态，所以速度不易下降。如果是激光装置，不会发生这种速度下降。
第二个问题是指，必须在切割芯片有可能不以棋盘状进行排列的工序中对DAF进行切割。现有切割设备由于是转动圆盘进行切割，因此基本上都只能切割成直线状。因此，假如芯片的排列不是直线，那么就将很难切割芯片之间的DAF。如果是激光设备，即使芯片的排列不整齐，也能根据排列情况进行切割。据悉，此次的设备已向多家客户交付使用。
