新材料技术领域光电子材料及器件主题课题申请指南（第一批)
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一、前 言：
光电子材料及器件是我国高技术研究发展的战略性技术领域之一，自一九八七年863计划组织实施以来，一直是新材料技术领域和信息技术领域光电子器件及其集成主题的重点研究方向。十五期间，为满足我国光电子科技和产业发展的需求，顺应光电子领域的国际发展趋势，更好地实现技术创新和发展跨越，特设立本主题。本主题十五期间的总体目标是：在第一期863计划中相关主题已取得成果的基础上，在若干行将剧烈改变信息技术领域面貌的重大关键技术上取得战略性突破，取得一批与世界水平相当的技术创新成果，推出一批具有潜在的国际市场竞争力的目标产品，卓有成效地解决若干关键材料、器件和模块的规模化生产技术，加强我国光电子技术研究开发平台和产业化基地的建设，从而冲击和占领信息产业发展的制高点，实现我国光电子材料与器件技术的跨越式发展，继续培育和造就一支高素质的光电子研究开发人才队伍。
本主题的研究内容主要集中在三个方面，即：
（一）新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和特种光电子器件技术；
（二）通信用光电子材料、器件与集成技术；
（三）面向信息获取、处理、利用的光电子材料与器件技术。
二、指南说明：
本主题将按照有限目标、突出重点、加强应用、自主创新、跨越发展的方针，围绕国家发展目标，提升我国在光电子材料与器件领域自主和持续创新能力，为光电子产业的发展提供关键技术支撑。
本指南共分三大部分：
第一部分为新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和特种光电子器件技术，主要包括光电子基础材料、生长源和关键设备技术；人工晶体和全固态激光器技术、新型半导体材料与激光器技术、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预测研究；
第二部分为通信用光电子材料、器件与集成技术，主要包括集成光电子芯片和模块技术、通信光电子新材料与关键器件技术、通信光纤规模生产工艺技术和新型通信光纤及特种光纤技术；
第三部分为面向信息获取、处理、利用的光电子材料与器件，主要包括Ⅲ族氮化物材料和器件技术、超高亮度全色显示材料与器件应用技术、超高密度光存储材料与器件技术、光传感材料与器件技术。
本指南项目大体分为两类：
一类为高技术研究项目，以技术创新和跨越为主要目标；
另一类为产业化技术项目，以解决产业化关键技术，实现规模生产为目标。这类项目要求有研究、生产、应用相结合的组织形式，对863经费要有产业资金匹配、具有可落实的自筹资金渠道和计划、以及规模化生产的保障条件。
三、注意事项
1、 本指南面向全国高等院校、科研机构和高新技术企业公开发布；
2、 课题申请人(负责人)年龄一般不超过55岁；
3、 项目的申请鼓励产、学、研结合，鼓励地方政府、企业根据本地区的产业发展需求予以经费配套支持；
4、 申请书一式十份，其中至少五份为加盖红章的原件。
5、 项目申报程序：
(1) 网上申报
登录863.materials.gov.cn 或 m863.most.gov.cn
按提示和要求完成网上申报
联系人：陈建春 电 话：010-64200716
(2) 送交书面申请书
地 址：北京市三里河路一号9号楼5931房间 （100044）
联系人：苏小虎 潘一薇
电 话：68313388-5931 68338919
6、本指南所列课题申请受理自发布之日起一个月内结束(2001年9月10日起开始申报，2001年10月10日截止,邮寄申请书以邮戳为准)。
四、指南内容：
（一）新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和特种光电子器件
1、 光电子基础材料、生长源和关键设备
研究目标：以实现产业化为目标，突破新型生长源制备技术，建立产业化中的检测技术和手段；瞄准国际水平，突破半导体光电子器件的基础材料制备技术，实现产业化；支持建立用于GaN基材料生长的生产型MOCVD设备研发及产业化基地。
研究内容及主要指标：
1)、建立MO源规模化生产的检测技术和高效生产工艺技术（要求与企业结合并有配套投入），开发新型MO源，高纯氨（纯度5.5N以上）和高纯硅烷的纯化技术和规模化生产技术（要求与企业结合并有配套投入）。
2)、开发研制具有国际先进水平的生产型MOCVD设备（要求与企业结合并有配套投入）。
3）可用于Ⅲ族氮化物生长的大尺寸低位错密度ZnO，SiC、GaN等自支撑衬底和柔性衬底制备（含抛光）技术。
2、人工晶体和全固态激光器技术
研究目标：以推动产业发展为目的，突破新型人工晶体的产业化关键技术、建立人工晶体研发及产业化基地，研究开发大功率半导体激光器技术，突破大功率全固态激光器产业化关键技术。
研究内容及主要指标：
1)大功率红、蓝全固态激光器产业化相关技术（与企业结合并有配套投入）。
2) 新型紫外、深紫外非线性光学晶体材料和全固态激光器及相关紫外非线性光学晶体的实用化技术。
3)基于化学计量比LiNbO3、LiTaO3晶体的微结构非线性光学晶体材料和全固态激光器；化学计量比LiNbO3、LiTaO3晶体生长技术和批量生产技术。
4）以808nm光纤耦合模块为重点的大功率LD模块产业化技术。
3、 新型半导体材料与激光器技术
研究目标：重点研究开发新型中远红外和短波长半导体激光器技术。
研究内容及主要指标：
1） 研究开发半导体中远红外量子级联激光器技术。
2） 研究ZnO晶体、薄膜材料和相关异质结构材料技术，研制短波长激光器。
4、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预测研究
研究目标：提出光电子新材料、新器件的构思，为源头上的创新提供理论概念与设计
研究内容：
针对光电子技术的发展需求，结合本主题的研制任务，采用建立分析模型、进行计算机模拟，在不同尺度（从原子、分子到纳米、介观及宏观）范围内，阐明材料性能与微观结构的关系，以利性能、结构及工艺的优化。解释材料制备实验中的新现象和问题，预测新结构、新性能，预报新效应，以利材料研制的创新。
申请条件：申请研究开发型项目要有一定的研究基础和创新思路，有稳定的人才队伍，拥有基本的设备条件。产业化项目一定要有研究、生产、应用相结合的组织形式，对863经费要有产业资金匹配、具有可落实的自筹资金渠道和计划、以及规模化生产的保障条件。
课题单位确定方式：择优委托。
（二）通信用光电子材料、器件与集成技术
以下所列各项规模化生产技术原则上应有企业参与研究并有配套投入。
1、集成光电子芯片和模块技术
研究目标：在光电集成(OEIC)、光子集成(PIC)与微光电机械(MOEMS)三种集成光电子芯片中，本主题将集中进行OEIC和PIC芯片的研究。MOEMS芯片在微机械专项中安排。OEIC和PIC芯片的研究目标为：突破其关键工艺技术，以典型器件的研制带动研究开发工艺平台建设，促进集成芯片、模块和组件的产业化。
研究内容及主要指标：
1) 光电集成芯片技术
速率在2.5Gb/s以上的单片／准单片集成光发射机与光接收机芯片及模块关键技术与目标产品。
2) 光子集成芯片技术
(1) DFB+EA集成光源芯片及模块。包括：2.5Gb/s芯片及模块的规模化生产技术、 10Gb/s速率芯片及模块的目标产品；
(2) 32通道阵列波导光栅 (AWG)复用/解复用器芯片及模块目标产品；
(3) 8′8和16′16高速光开关集成芯片目标产品
(4) 光子集成SOI材料规模化生产技术。
2、 通信光电子新材料与关键器件技术
1) 光收发器件（本项目招标，详见招标公告）
研究目标：解决速率在10Gb/s以上的光收发关键器件芯片、组件和模块自主设计制造技术、目标产品；突破40 Gb/s系统用光收发器件的设计和制造关键技术; 研制新材料、新结构的高性能激光器与探测器。
研究内容及主要指标：
(1) 速率在10Gb/s以上的高速探测器、高速调制器、相关电路及组件目标产品。
(2) 采用新材料、新结构的高性能激光器与探测器研究。
2) 光放大器关键技术、目标产品及规模化生产技术（本项目招标，详见招标公告）
研究目标：突破14xxnm泵浦激光器与喇曼光纤放大器关键技术，开发超宽带EDFA，实现高性能半导体光放大器（SOA）规模化生产。
研究内容及主要指标：
(1) 14xxnm泵浦激光器与喇曼光纤放大器关键技术；
(2) 超宽带（S+C+L波段）EDFA目标产品；
(3) 高性能半导体光放大器（SOA）规模化生产技术。
3) 色散补偿器件
研究目标：突破10Gb/s以上速率高速光纤通信系统色散补偿和偏振模色散关键技术，开发多通道色散补偿器件和偏振模色散目标产品。
研究内容及主要指标：
(1) 多通道色散补偿关键器件技术和目标产品；
(2) 偏振模色散补偿关键器件技术和目标产品。
4) 密集波分复用器/解复用器
研究目标：掌握32通道MUX/DEMUX器件规模化技术，160通道DWDM系统用的MUX/DEMUX器件关键技术和新型MUX/DEMUX器件及实用化产品技术。
研究内容及主要指标：
(1) 100GHz信道间隔的介质膜滤波器规模化生产技术；
(2) 光学梳状滤波器（Interleaver）目标产品。
5) 全光网络节点器件
研究目标：突破全光网络用光开关、可调光衰减器、可调谐激光器、可调光滤波器、光波长变换器、全光再生器的关键技术；开发相应实用化产品技术和目标产品。
研究内容及主要指标：
(1) 用于全光网的光分插复用和光交叉连接节点的高速光开关；
(2) 可调光衰减器、可调谐激光器、可调光滤波器的目标产品；
(3) 光波长变换器、全光再生器的关键技术。
3、通信用特种光纤
研究目标：研究开发新一代通信光纤，推动光纤通信系统在高速、大容量骨干网以及接入网中的应用。
研究内容和主要指标：
(1) 新型色散补偿光纤与色散管理光纤；
(2) 新型稀土掺杂光纤；
(3) 光子晶体光纤。
（三）面向信息获取、处理、利用的光电子材料与器件
1、GaN材料和器件技术（本项目招标，详见招标公告）
研究目标：
以应用为目标，重点突破产业化氮化镓材料外延生长、衬底制备、器件工艺等技术，突破室温激射的蓝光激光器。
研究内容及主要指标：
以蓝宝石为衬底的GaN 蓝绿光LED 的规模化关键生产技术和用于质量控制的新技术和捡测设备（与企业结合、以生产应用结果进行考核验收）；
1). ZnO，SiC、GaN等自支撑新型衬底上GaN外延生长技术及其应用技术的研究与开发（与企业结合并有配套投入）；
2). 研制达到室温激射的蓝光激光器；
3). 紫外光探测器，以及用于大气环保的紫外LED技术；
4). 基于镓氮的高亮度白光固体光源材料和器件（与企业结合并有配套投入）。
申请条件：有一定的研究基础和创新思路，有稳定的人才队伍，拥有基本的设备条件。产业化项目还应有研究、生产、应用相结合的组织形式，具有可落实的自筹资金渠道和规模化生产的保障条件
２、超高亮度全色显示材料与器件应用技术
研究目标：
研究开发场致电子发射平板显示器件（FED）制作关键技术、以及新型高效率有机发光材料和薄膜结构。
说明：等离子体平板显示器和高亮度、长寿命有机发光器件（OLED）的批量生产的关键技术、大面积（5英寸以上）有机发光显示屏的制作关键技术等研究和开发项目将于平板显示专项中考虑。
研究内容和主要指标：
1)． FED器件制作关键技术。用三年时间，在冷阴极电子源阵列、彩色荧光屏的制作、器件封装等关键环节取得有自主知识产权的关键技术。以能够稳定工作、具有动态图象显示功能、亮度高于200cd/m2的FED器件为主要验收目标。
2)． 研制FED用的、能够在低电压下（小于100伏）工作的新型冷阴极电子源结构及其新型冷阴极电子发射材料。用三年时间，证明发明在FED器件结构上应用的可行性，并以发明专利方式进行保护。以发明专利的质和量为验收目标。
3)． 研制新型高效率有机发光材料的新思路、新设计、新概念和新方法。用三年时间，证明发明在OLED上应用的可行性，并以发明专利方式进行保护。以发明专利的质和量为验收目标。
申请条件：有一定的研究基础和创新思路，有稳定的人才队伍，拥有基本的设备条件。
3、超高密度光存储材料与器件技术
研究目标：
发展具有自主知识产权的二维和三维超高密度、大容量、高速度光存储材料和技术，二维存储密度达到GB/cm2级，单盘容量100GB级，速度10MB/s级，三维存储密度10GB/cm3级，容量TB级，读出速度100MB/s级，达到国际先进水平，为发展超高密度光存储产业打下基础。
研究内容及主要指标：
1) 超高密度光存储材料
研究和发展新型用于短波长光存储 (CD-R,CD-RW,DVD-R,DVD-RW, HDVD-R) 的介质材料. 研究具有知识产权的光存槠材料规模化生产关健技术，并使产品占据部分市场。
2) 三维大容量光存储材料和器件技术，开拓新的应用研究
3）用于光盘的新型基底材料
4、光传感材料与器件技术
研究目标：
以特殊环境应用为目的，实现传感元器件的产业化技术开发；
研究开发新型光电传感器。
研究内容及主要指标：
1）光纤光栅温度、压力、振动传感器的产业化技术（与企业结合并有配套投入）；
2）用于大气监测的远红外－紫外各种波段高灵敏探测器及其列阵；用于光电探测的表面波传感器研制与开发。
申请条件：有一定的研究基础和创新思路，有稳定的人才队伍，拥有基本的设备条件，课题单位确定方式为招标或择优委托
