立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相

利用扫描电子显微镜(SEM) 、原子力显微镜(AFM) 、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD) 技术研究了低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD) 的立方相GaN/ GaAs (001) 外延层的表面起伏特征,及其与外延层极性和内部六角相、立方相微孪晶之间的联系