技术中心
 
 

PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究

 
日期:2015-08-11       大小:0.19M    
对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件,制作出了高质量的氮化硅质膜.
本类推荐
推荐下载