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控制/仪器仪表
PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究
日期:2015-08-11 大小:0.19M
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对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件,制作出了高质量的氮化硅质膜.
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