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单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟

 
日期:2015-08-11       大小:0.36M    
根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。
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