技术中心
 
 

Si衬底GaN基材料及器件的研究

 
日期:2015-08-11       大小:0.22M    
GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(AlGaN、InGaN、AlInGaN),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性,因此在光电子领域具有极大的应用前景。
本类推荐
推荐下载