PECVDSiO_2_Si_3N_4双层膜驻极体性能

本文研究了在带有Cr /Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2 /Si3N4 双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极，并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素，希望得到对PECVD制备的SiO2 /Si3N4 双层膜驻极体性能的优化。本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能，有望广泛应用于微器件中。